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光電流基礎(chǔ)測(cè)試探針臺(tái)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
T5500B探針臺(tái)具有較高的性價(jià)比。較低的泄漏電流~50fA使得其易于測(cè)試6英寸的圓晶和破損的樣品。同時(shí)具有較強(qiáng)的拓展性，客戶可以根據(jù)自己的需求選用加熱吸盤，高倍顯微鏡，底座和屏蔽箱等。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
•精度高
•測(cè)試穩(wěn)定
•操作方便
•多種測(cè)試技術(shù)
•低泄漏電流
技術(shù)規(guī)格
樣品臺(tái)
尺寸 | 6英寸，低泄漏電流 <50fA |
X-Y行程 | 100mm×100mm |
X-Y行程精度 | 5μm |
Z行程 | 10 mm |
Z行程精度 | 1μm |
顯微鏡行程 | x-y 50mm×50mm 精度5μm |
顯微鏡
顯微鏡 | 放大倍數(shù)90倍 樣品臺(tái)<100μm |
CCD 相機(jī) | 放大倍數(shù)300倍 樣品臺(tái)<50μm |
高倍顯微鏡 | 放大倍數(shù)1000倍 樣品臺(tái)<10μm |
CCD相機(jī)
2.1M像素 CCD C-mount 1/3 英寸
15 英寸LCD顯示器
針座平臺(tái)
行程6mm 精度3μm
真空平臺(tái) 行程6mm 精度3μm
探針
M5BG | M1.5BT |
尺寸：0.5×25mm | 尺寸：0.5×30mm |
漏電精度 ：<10fA | 針尖直徑：5μm |
針尖直徑：5μm |
應(yīng)用
IV測(cè)試
CV測(cè)試 可靠性測(cè)試
光電流基礎(chǔ)測(cè)試探針臺(tái)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
T5500B探針臺(tái)具有較高的性價(jià)比。較低的泄漏電流~50fA使得其易于測(cè)試6英寸的圓晶和破損的樣品。同時(shí)具有較強(qiáng)的拓展性，客戶可以根據(jù)自己的需求選用加熱吸盤，高倍顯微鏡，底座和屏蔽箱等。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
•精度高
•測(cè)試穩(wěn)定
•操作方便
•多種測(cè)試技術(shù)
•低泄漏電流
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